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文献
J-GLOBAL ID：200902214372147433
整理番号：05A0154136
fmax/fT=350/300GHzおよびゲート遅延3.3ps以下のSiGe HBT技術
SiGe HBT Technology with fmax/fT=350/300GHz and Gate Delay Below 3.3ps
KHATER M
(IBM Microelectronics, NY)
,
RIEH J-S
(IBM Microelectronics, NY)
,
ADAM T
(IBM Microelectronics, NY)
,
CHINTHAKINDI A
(IBM Microelectronics, NY)
,
JOHNSON J
(Essex Junction, VT)
,
KRISHNASAMY R
(Essex Junction, VT)
,
MEGHELLI M
(IBM T.J. Watson Res. Center, NY)
,
PAGETTE F
(IBM Microelectronics, NY)
,
STRICKER A
(Essex Junction, VT)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 247-250 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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