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文献
J-GLOBAL ID：200902214737303413
整理番号：09A0284423
蛍光ポリメタクリル酸メチルにおける高SN比の多層光ビットメモリ
Multilayered optical bit memory with a high signal-to-noise ratio in fluorescent polymethylmethacrylate
NIE Zhaogang
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
,
LEE Heungyeol
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
,
YOO Hyeonggeun
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
,
LEE Youlee
(Dep. of Physics and BK21 Physics Program, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR)
,
KIM Younshil
(Dep. of Physics and BK21 Physics Program, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR)
,
LIM Ki-soo
(Dep. of Physics and BK21 Physics Program, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR)
,
LEE Myeongkyu
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 11 ページ： 111912 発行年： 2009年03月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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