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文献
J-GLOBAL ID：200902215009063577
整理番号：03A0506074
モノメチルシランを用いたSi(001)-2×1表面上の3C-SiC成長の初期段階
Initial stage of 3C-SiC growth on Si(001)-2 × 1 surface using monomethylsilane
NARITA Y
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
INUBUSHI T
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
HARASHIMA M
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
YASUI K
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
,
AKAHANE T
(Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名：
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻： 216 号： 1/4 ページ： 575-579 発行年： 2003年06月30日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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