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文献
J-GLOBAL ID：200902215023591136
整理番号：09A0394273
AlGaN/GaN HEMTの電力性能に及ぼす誘電体厚みの影響
Effect of Dielectric Thickness on Power Performance of AlGaN/GaN HEMTs
PEI Yi
(Univ. California, CA, USA)
,
RAJAN Siddharth
(Univ. California, CA, USA)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(Univ. California, CA, USA)
,
CHEN Zhen
(Univ. California, CA, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Univ. California, CA, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Univ. California, CA, USA)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 30 号： 4 ページ： 313-315 発行年： 2009年04月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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