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文献
J-GLOBAL ID：200902215379641065
整理番号：04A0104424
高破壊電圧AlGaN-GaN電力HEMT設計と高電流密度スイッチング挙動
High Breakdown Voltage AlGaN-GaN Power-HEMT Design and High Current Density Switching Behavior
SAITO W
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
TAKADA Y
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
,
KURAGUCHI M
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
,
TSUDA K
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
,
OMURA I
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OGURA T
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
OHASHI H
(Toshiba Res. and Dev. Center, Kawasaki, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 50 号： 12 ページ： 2528-2531 発行年： 2003年12月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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