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文献
J-GLOBAL ID：200902215592126689
整理番号：03A0692635
Naフラックス法によるGaN単結晶成長におよぼす3d遷移金属添加物の影響
Influence of 3d-Transition-Metal Additives on Single Crystal Growth of GaN by the Na Flux Method
AOKI M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
YAMANE H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SHIMADA M
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SARAYAMA S
(Ricoh Co., Ltd., Natori, JPN)
,
IWATA H
(Ricoh Co., Ltd., Natori, JPN)
,
DISALVO F J
(Cornell Univ., New York, USA)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 9A ページ： 5445-5449 発行年： 2003年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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