文献
J-GLOBAL ID:200902215827984505
整理番号:05A0192669
GaNにおける混合転位と部分転位の原子構造と電子構造
Atomic and Electronic Structure of Mixed and Partial Dislocations in GaN
著者 (4件):
ARSLAN I
(Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
,
BLELOCH A
(UK SuperSTEM, Cheshire, GBR)
,
STACH E A
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
,
BROWNING N D
(Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
94
号:
2
ページ:
025504.1-025504.4
発行年:
2005年01月21日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)