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文献
J-GLOBAL ID：200902215885317322
整理番号：08A0930139
非晶質のSn-Ga-Zn-Oをチャネルとする薄膜トランジスタ
Amorphous Sn-Ga-Zn-O channel thin-film transistors
OGO Youichi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
NOMURA Kenji
,
YANAGI Hiroshi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
KAMIYA Toshio
,
HIRANO Masahiro
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
HIRANO Masahiro
,
HOSONO Hideo
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
HOSONO Hideo
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 205 号： 8 ページ： 1920-1924 発行年： 2008年08月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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