前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902215997116877
整理番号：06A0006195
Hf基高kゲート絶縁膜の走査型容量顕微鏡で調べた誘電特性の空間ゆらぎ
Spatial fluctuation of dielectric properties in Hf-based high-k gate films studied by scanning capacitance microscopy
NAITOU Y.
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Umezono 1-1-1, Tsukuba ...)
,
ANDO A.
(Nanoelectronics Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Umezono 1-1-1, Tsukuba ...)
,
OGISO H.
(Advanced Manufacturing Res. Inst., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-2-1 Namiki ...)
,
KAMIYAMA S.
(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
NARA Y.
(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
NAKAMURA K.
(Semiconductor Leading Edge Technologies (Selete), Inc., 16-1, Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, JPN)
,
WATANABE H.
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
,
YASUTAKE K.
(Dep. of Precision Sci. and Technol., Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2-1 Yamadaoka, Suita, Osaka ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 87 号： 25 ページ： 252908-252908-3 発行年： 2005年12月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。