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文献
J-GLOBAL ID：200902216015319385
整理番号：04A0726913
GaN基板上に成長させたBNナノ膜の電界放出特性
Field emission characteristics of BN nanofilms grown on GaN substrates
LUO H
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
FUNAKAWA S
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SHEN W
(Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
,
SUGINO T
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 22 号： 4 ページ： 1958-1963 発行年： 2004年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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