文献
J-GLOBAL ID:200902216157361630
整理番号:09A0734173
室温堆積及びアニールa-In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける閾値電圧シフトの起源
Origins of threshold voltage shifts in room-temperature deposited and annealed a-In-Ga-Zn-O thin-film transistors
著者 (4件):
NOMURA Kenji
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
KAMIYA Toshio
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
HIRANO Masahiro
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
,
HOSONO Hideo
(ERATO-SORST, JST, in Frontier Res. Center, Mail Box S2-13, Tokyo Inst. of Technol., 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
95
号:
1
ページ:
013502
発行年:
2009年07月06日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)