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文献
J-GLOBAL ID：200902216177479785
整理番号：05A0165099
高移動度金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの歪Si,SiGeおよびGeチャネル
Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
LEE M L
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
FITZGERALD E A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
,
BULSARA M T
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire)
,
CURRIE M T
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire)
,
LOCHTEFELD A
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 97 号： 1 ページ： 011101.1-011101.28 発行年： 2005年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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