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文献
J-GLOBAL ID:200902216177479785   整理番号:05A0165099

高移動度金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの歪Si,SiGeおよびGeチャネル

Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
著者 (5件):
LEE M L
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
FITZGERALD E A
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts)
BULSARA M T
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire)
CURRIE M T
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire)
LOCHTEFELD A
(AmberWave Systems Corp., New Hampshire)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 97  号:ページ: 011101.1-011101.28  発行年: 2005年01月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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