文献
J-GLOBAL ID:200902216198572939
整理番号:05A0606434
ZnOエピタキシャル薄膜における励起子中心の光ルミネセンス特性
Photoluminescence characterization of excitonic centers in ZnO epitaxial films
著者 (13件):
WATANABE M.
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
SAKAI M.
(Saitama Univ., Saitama, JPN)
,
SHIBATA H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAMPO H.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
FONS P.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
IWATA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMADA A.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MATSUBARA K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SAKURAI K.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ISHIZUKA S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
NIKI S.
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
NAKAHARA K.
(ROHM Co. Ltd., Kyoto, JPN)
,
TAKASU H.
(ROHM Co. Ltd., Kyoto, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
86
号:
22
ページ:
221907.1-221907.3
発行年:
2005年05月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)