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文献
J-GLOBAL ID：200902216245909319
整理番号：03A0407352
島誘起転位制御を用いた3ステップ有機金属気相エピタキシャル成長による低転位GaN/サファイアウエハの実現
Realization of Low Dislocation GaN/Sapphire Wafers by 3-Step Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth with Island Induced Dislocation Control
FUJIKURA H
(Hitachi Cable Ltd., Ibaraki, JPN)
,
IIZUKA K
(Hitachi Cable Ltd., Ibaraki, JPN)
,
TANAKA S
(Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 5A ページ： 2767-2772 発行年： 2003年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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