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文献
J-GLOBAL ID：200902216273472503
整理番号：03A0706692
移動液相帯域法によって成長させたInxGa1-xAs合金結晶の成長条件を予測するための一次元模型
A one-dimensional model to predict the growth conditions of InxGa1-xAs alloy crystals grown by the traveling liquidus-zone method
NAKAMURA H
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
HANAUE Y
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
KATO H
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
KINOSHITA K
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
,
YODA S
(National Space Dev. Agency of Japan, Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 258 号： 1/2 ページ： 49-57 発行年： 2003年10月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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