前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902216275951913
整理番号：09A0720268
c面GaN基板上の510~515nm InGaNに基づく緑色レーザダイオード
510-515 nm InGaN-Based Green Laser Diodes on c-Plane GaN Substrate
MIYOSHI Takashi
(Nichia Corp., Tokushima JPN)
,
MASUI Shingo
(Nichia Corp., Tokushima JPN)
,
OKADA Takeshi
(Nichia Corp., Tokushima JPN)
,
YANAMOTO Tomoya
(Nichia Corp., Tokushima JPN)
,
KOZAKI Tokuya
(Nichia Corp., Tokushima JPN)
,
NAGAHAMA Shin-ichi
(Nichia Corp., Tokushima JPN)
,
MUKAI Takashi
(Nichia Corp., Tokushima JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 6 ページ： 062201.1-062201.3 発行年： 2009年06月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。