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文献
J-GLOBAL ID：200902216284042551
整理番号：08A0187768
チャージアシストソースドレイン拡張による高性能バルクCMOS用薄型サイドウォールの新規構造
Novel Thin Sidewall Structure for High Performance Bulk CMOS with Charge-Assisted Source-Drain-Extension
OHTA H.
(Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
,
FUKUTOME H.
(Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
,
SAKUMA T.
(Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
,
HATADA A.
(Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHKOSHI K.
(Fujitsu Ltd.)
,
IKEDA K.
(Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
,
MIYASHITA T.
(Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
,
MORI T.
(Fujitsu Ltd.)
,
SUGII T.
(Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2007 ページ： 98-99 発行年： 2007年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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