文献
J-GLOBAL ID:200902216288428195
整理番号:09A1072578
MLC NANDフラッシュメモリにおける高いプログラム禁止のためのダイナミックVpass ISPP方式と最適化消去Vth制御
Dynamic Vpass ISPP Scheme and Optimized Erase Vth Control for High Program Inhibition in MLC NAND Flash Memories
著者 (11件):
PARK Ki-Tae
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
KANG Myounggon
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
HWANG Soonwook
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
SONG Youngsun
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
LEE Jaewook
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
JOO Hansung
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
OH Hyun-Sil
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
KIM Jae-Ho
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
LEE Yeong-Taek
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
KIM Changhyun
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
,
LEE Wonseong
(Samsung Electronics Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻:
2009
ページ:
20-21
発行年:
2009年
JST資料番号:
W0767A
ISSN:
2158-5601
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)