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文献
J-GLOBAL ID：200902216395108586
整理番号：03A0098230
新規C源としてアークプラズマガンを用いたSi(001)基板上のGeCエピ層のMBE成長モードとC取込み
MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source.
OKINAKA M
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
HAMANA Y
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
TOKUDA T
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
OHTA J
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
,
NUNOSHITA M
(Nara Inst. Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 249 号： 1/2 ページ： 78-86 発行年： 2003年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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