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文献
J-GLOBAL ID：200902216479974700
整理番号：08A0806780
バイアス-ストレス起因のSiC MOSFET閾値電圧不安定性測定の時間依存性
Time Dependence of Bias-Stress-Induced SiC MOSFET Threshold-Voltage Instability Measurements
LELIS Aivars J.
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
HABERSAT Daniel
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
GREEN Ronald
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
OGUNNIYI Aderinto
(U.S. Army Res. Lab., MD, USA)
,
GURFINKEL Moshe
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
,
SUEHLE John
(National Inst. Standards and Technol., MD, USA)
,
GOLDSMAN Neil
(Univ. Maryland, MD, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55 号： 8 ページ： 1835-1840 発行年： 2008年08月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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