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文献
J-GLOBAL ID:200902216516311830   整理番号:08A0781436

金属変調エピタクシーを用いたGaNにおける繰り返し増加Mg取込と大正孔濃度

Reproducible increased Mg incorporation and large hole concentration in GaN using metal modulated epitaxy
著者 (5件):
BURNHAM Shawn D.
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA)
NAMKOONG Gon
(Electrical and Computer Engineering Dep., Old Dominion Univ., Norfolk, Virginia 23529, USA)
LOOK David C.
(Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA)
CLAFIN Bruce
(Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA)
DOOLITTLE W. Alan
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA)

資料名:
Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)

巻: 104  号:ページ: 024902  発行年: 2008年07月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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