文献
J-GLOBAL ID:200902216516311830
整理番号:08A0781436
金属変調エピタクシーを用いたGaNにおける繰り返し増加Mg取込と大正孔濃度
Reproducible increased Mg incorporation and large hole concentration in GaN using metal modulated epitaxy
著者 (5件):
BURNHAM Shawn D.
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA)
,
NAMKOONG Gon
(Electrical and Computer Engineering Dep., Old Dominion Univ., Norfolk, Virginia 23529, USA)
,
LOOK David C.
(Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA)
,
CLAFIN Bruce
(Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA)
,
DOOLITTLE W. Alan
(School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
104
号:
2
ページ:
024902
発行年:
2008年07月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)