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文献
J-GLOBAL ID：200902216735023076
整理番号：03A0339450
(Ga,Mn)As三層構造に及ぼす低温アニーリングの効果
Effect of low-temperature annealing on (Ga,Mn)As trilayer structures
CHIBA D
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
TAKAMURA K
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MATSUKURA F
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
OHNO H
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 82 号： 18 ページ： 3020-3022 発行年： 2003年05月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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