前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902216972731379
整理番号：04A0656940
12.7kV超高電圧SiC整流ゲートターンオフサイリスタ:SICGT
12.7kV Ultra High Voltage SiC Commutated Gate Turn-off Thyristor: SICGT
SUGAWARA Y
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
,
TAKAYAMA D
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
,
ASANO K
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
,
AGARWAL A
(CREE Inc., NC, USA)
,
RYU S
(CREE Inc., NC, USA)
,
PALMOUR J
(CREE Inc., NC, USA)
,
OGATA S
(Kansai Electric Power Co., Amagasaki, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 16th ページ： 365-368 発行年： 2004年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。