文献
J-GLOBAL ID:200902217057679965
整理番号:07A0320122
Si-nc(ナノ結晶)系メモリ金属-酸化物-半導体デバイスのナノスケールでの電気特性評価
Nanoscale electrical characterization of Si-nc based memory metal-oxide-semiconductor devices
著者 (7件):
PORTI M.
(Dep. d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, Edifici Q, 08193 Bellaterra, ESP)
,
AVIDANO M.
(Dep. d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, Edifici Q, 08193 Bellaterra, ESP)
,
NAFRIA M.
(Dep. d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, Edifici Q, 08193 Bellaterra, ESP)
,
AYMERICH X.
(Dep. d’Enginyeria Electronica, Univ. Autonoma de Barcelona, Edifici Q, 08193 Bellaterra, ESP)
,
CARRERAS J.
(EME, Dep. d’Electronica, Univ. de Barcelona, Carrer Marti i Franques, 1, 08028 Barcelona, ESP)
,
JAMBOIS O.
(EME, Dep. d’Electronica, Univ. de Barcelona, Carrer Marti i Franques, 1, 08028 Barcelona, ESP)
,
GARRIDO B.
(EME, Dep. d’Electronica, Univ. de Barcelona, Carrer Marti i Franques, 1, 08028 Barcelona, ESP)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
101
号:
6
ページ:
064509-064509-9
発行年:
2007年03月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)