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J-GLOBAL ID：200902217114386104 整理番号：09A0100570

金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構

Mechanisms of Effective Work Function Modulation of Metal/Hf-based High-k Gate Stacks

著者 (7件)：

渡部平司

(大阪大大学院工学研究科)

喜多祐起

(大阪大大学院工学研究科)

細井卓治

(大阪大大学院工学研究科)

志村考功

(大阪大大学院工学研究科)

白石賢二

(筑波大大学院数理物質科学研究科)

奈良安雄

(半導体先端テクノロジーズ)

山田啓作

(早稲田大ナノテクノロジー研)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 108 号： 335(SDM2008 184-195) ページ： 21-25 発行年： 2008年11月28日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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