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文献
J-GLOBAL ID：200902217172989765
整理番号：03A0300832
4H-SiC(000-1)C面のエピタキシャル成長
児島一聡
(超低損失電力素子技術開発研究体)
,
鈴木誉也
(新機能素子研究開発協)
,
黒田悟史
(産業技術総合研)
,
先崎純寿
(超低損失電力素子技術開発研究体)
,
加藤真
(超低損失電力素子技術開発研究体)
,
福田憲司
(超低損失電力素子技術開発研究体)
,
田中知行
(超低損失電力素子技術開発研究体)
,
荒井和雄
(超低損失電力素子技術開発研究体)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 50th 号： 1 ページ： 440 発行年： 2003年03月27日
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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