文献
J-GLOBAL ID:200902217275553949
整理番号:06A0355189
HfO2/ゲルマニウム-金属酸化物半導体素子の界面に対するゲルマニウム酸ハフニウムの形成の効果
Effect of hafnium germanate formation on the interface of HfO2/germanium metal oxide semiconductor devices
著者 (10件):
VAN ELSHOCHT S.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
CAYMAX M.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
CONARD T.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
DE GENDT S.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
HOFLIJK I.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
HOUSSA M.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
DE JAEGER B.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
VAN STEENBERGEN J.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
HEYNS M.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
,
MEURIS M.
(Interuniversitair Microelectronica Centrum (IMEC) vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Heverlee, BEL)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
14
ページ:
141904-141904-3
発行年:
2006年04月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)