文献
J-GLOBAL ID:200902217301982128
整理番号:08A1099520
高k誘電体系金属-絶縁体-半導体キャパシタに関するフラットバンド電圧過渡の比較研究
Comparative Study of Flatband Voltage Transients on High-k Dielectric-Based Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors
著者 (10件):
DUENAS S.
(Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP)
,
CASTAN H.
(Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP)
,
GARCIA H.
(Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP)
,
GOMEZ A.
(Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP)
,
BAILON L.
(Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP)
,
KUKLI K.
(Univ. Tartu, Tartu, EST)
,
KUKLI K.
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
,
AARIK J.
(Univ. Tartu, Tartu, EST)
,
RITALA M.
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
,
LESKELAE M.
(Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
155
号:
11
ページ:
G241-G246
発行年:
2008年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)