文献
J-GLOBAL ID:200902217482844600
整理番号:05A0565756
イオン注入されたけい素の光ルミネセンスに見られるけい素の格子間原子クラスタの小型クラスタから拡張型クラスタへの成長の兆し
Photoluminescence signature of silicon interstitial cluster evolution from compact to extended structures in ion-implanted silicon
著者 (1件):
GIRI P K
(Indian Inst. Technol. Guwahati, Guwahati, IND)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
20
号:
6
ページ:
638-644
発行年:
2005年06月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)