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文献
J-GLOBAL ID：200902217529681462
整理番号：07A0139319
イオン注入による4H-SiCエピタキシャル層におけるトラップの減少とキャリヤ寿命の改善
Reduction of traps and improvement of carrier lifetime in 4H-SiC epilayers by ion implantation
STORASTA Liutauras
(Central Res. Inst. of Electric Power Ind., 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, JPN)
,
TSUCHIDA Hidekazu
(Central Res. Inst. of Electric Power Ind., 2-6-1 Nagasaka, Yokosuka, Kanagawa 240-0196, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 90 号： 6 ページ： 062116-062116-3 発行年： 2007年02月05日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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