前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902217613305948
整理番号：07A1229187
シリコン上の引張り歪ゲルマニウムCMOS集積化
Tensile-Strained Germanium CMOS Integration on Silicon
ZANG H.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
ZANG H.
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
LOH W.Y.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
YE J.D.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
LO G.Q.
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
CHO Byung Jin
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
CHO Byung Jin
(Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 28 号： 12 ページ： 1117-1119 発行年： 2007年12月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。