文献
J-GLOBAL ID:200902217713808360
整理番号:03A0745439
高伝導率変調ドープAlGaN/GaN多重チャネルヘテロ構造
High conductivity modulation doped AlGaN/GaN multiple channel heterostructures
著者 (5件):
HEIKMAN S
(Univ. California, California)
,
KELLER S
(Univ. California, California)
,
GREEN D S
(Univ. California, California)
,
DENBAARS S P
(Univ. California, California)
,
MISHRA U K
(Univ. California, California)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
8
ページ:
5321-5325
発行年:
2003年10月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)