文献
J-GLOBAL ID:200902217812573722
整理番号:04A0744422
GaAs上に作製した高性能1.5μm GaInNAsSbレーザ
High-performance 1.5μm GaInNAsSb lasers grown on GaAs
著者 (6件):
BANK S R
(Stanford Univ., CA, USA)
,
WISTEY M A
(Stanford Univ., CA, USA)
,
GODDARD L L
(Stanford Univ., CA, USA)
,
YUEN H B
(Stanford Univ., CA, USA)
,
BAE H P
(Stanford Univ., CA, USA)
,
HARRIS J S
(Stanford Univ., CA, USA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
40
号:
19
ページ:
1186-1187
発行年:
2004年09月16日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)