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文献
J-GLOBAL ID:200902217812573722   整理番号:04A0744422

GaAs上に作製した高性能1.5μm GaInNAsSbレーザ

High-performance 1.5μm GaInNAsSb lasers grown on GaAs
著者 (6件):
BANK S R
(Stanford Univ., CA, USA)
WISTEY M A
(Stanford Univ., CA, USA)
GODDARD L L
(Stanford Univ., CA, USA)
YUEN H B
(Stanford Univ., CA, USA)
BAE H P
(Stanford Univ., CA, USA)
HARRIS J S
(Stanford Univ., CA, USA)

資料名:
Electronics Letters  (Electronics Letters)

巻: 40  号: 19  ページ: 1186-1187  発行年: 2004年09月16日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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