文献
J-GLOBAL ID:200902217983615393
整理番号:05A0214863
不飽和強誘電分極スイッチングを用いた長い保持能力をもつPt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Si電界効果トランジスター
Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Si Field-Effect-Transistor with Long Retention Using Unsaturated Ferroelectric Polarization Switching
著者 (3件):
SAKAI S
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ILANGOVAN R
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
TAKAHASHI M
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
43
号:
11B
ページ:
7876-7878
発行年:
2004年11月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)