文献
J-GLOBAL ID:200902218174438037
整理番号:06A1014478
強化モードGaAs nチャネルMOSFET
Enhancement-Mode GaAs n-Channel MOSFET
著者 (4件):
RAJAGOPALAN Karthik
(Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA)
,
ABROKWAH Jonathan
(Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA)
,
DROOPAD Ravi
(Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA)
,
PASSLACK Matthias
(Freescale Semiconductor Inc., AZ, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
27
号:
12
ページ:
959-962
発行年:
2006年12月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)