文献
J-GLOBAL ID:200902218376132142
整理番号:06A0355203
ZnO/GaN:Mg/c-Al2O3ヘテロ接合発光ダイオードからの375nmでのエレクトロルミネセンス
Electroluminescence at 375 nm from a ZnO/GaN:Mg/c-Al2O3 heterojunction light emitting diode
著者 (6件):
ROGERS D. J.
(Nanovation SARL, 103 bis Rue de Versailles, Orsay 91400, FRA)
,
HOSSEINI TEHERANI F.
(Nanovation SARL, 103 bis Rue de Versailles, Orsay 91400, FRA)
,
YASAN A.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208)
,
MINDER K.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208)
,
KUNG P.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208)
,
RAZEGHI M.
(Center for Quantum Devices, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Northwestern Univ., Evanston, Illinois 60208)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
14
ページ:
141918-141918-3
発行年:
2006年04月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)