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文献
J-GLOBAL ID：200902218428703216
整理番号：09A0914344
半極性{20<span style=text-decoration:overline>2</span>1}自立GaN基板上のInGaN系レーザダイオードの531nm緑色レーザ放射
531 nm Green Lasing of InGaN Based Laser Diodes on Semi-Polar {20<span style=text-decoration:overline>2</span>1} Free-Standing GaN Substrates
ENYA Yohei
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
YOSHIZUMI Yusuke
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
KYONO Takashi
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
AKITA Katsushi
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
UENO Masaki
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
ADACHI Masahiro
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
SUMITOMO Takamichi
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
TOKUYAMA Shinji
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
IKEGAMI Takatoshi
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
KATAYAMA Koji
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
,
NAKAMURA Takao
(Sumitomo Electric Ind., Ltd., Hyogo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 8 ページ： 082101.1-082101.3 発行年： 2009年08月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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