文献
J-GLOBAL ID:200902218534494618
整理番号:07A0157739
ふっ化炭素によるシリコンとSiO2の一層毎のエッチングの分子動力学の研究
A molecular dynamics investigation of fluorocarbon based layer-by-layer etching of silicon and SiO2
著者 (7件):
RAUF S.
(Freescale Semiconductor, Inc., 3501 Ed Bluestein Bonlevard, MD K-10, Austin, Texas 78721)
,
SPARKS T.
(Freescale Semiconductor, Inc., 3501 Ed Bluestein Bonlevard, MD K-10, Austin, Texas 78721)
,
VENTZEK P. L. G.
(Freescale Semiconductor, Inc., 3501 Ed Bluestein Bonlevard, MD K-10, Austin, Texas 78721)
,
SMIRNOV V. V.
(SarovLabs, Sarov, RUS)
,
STENGACH A. V.
(SarovLabs, Sarov, RUS)
,
GAYNULLIN K. G.
(SarovLabs, Sarov, RUS)
,
PAVLOVSKY V. A.
(SarovLabs, Sarov, RUS)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
101
号:
3
ページ:
033308-033308-9
発行年:
2007年02月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)