文献
J-GLOBAL ID:200902218552265316
整理番号:05A0230158
次世代相補金属-酸化物-半導体デバイス用の代替高kゲート絶縁体としてのハイブリッドチタン-アルミニウム酸化物層
Hybrid titanium-aluminum oxide layer as alternative high-k gate dielectric for the next generation of complementary metal-oxide-semiconductor devices
著者 (9件):
AUCIELLO O
(Argonne National Lab., Illinois)
,
FAN W
(Argonne National Lab., Illinois)
,
KABIUS B
(Argonne National Lab., Illinois)
,
SAHA S
(Argonne National Lab., Illinois)
,
CARLISLE J A
(Argonne National Lab., Illinois)
,
CHANG R P H
(Northwestern Univ., Illinois)
,
LOPEZ C
(Univ. North Carolina, North Carolina)
,
IRENE E A
(Univ. North Carolina, North Carolina)
,
BARAGIOLA R A
(Univ. Virginia, Virginia)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
86
号:
4
ページ:
042904.1-042904.3
発行年:
2005年01月24日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)