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文献
J-GLOBAL ID：200902218611642676
整理番号：06A0740066
C面4H-SiC基板上へのホモエピタキシャル成長
Homoepitaxial Growth on a 4H-SiC C-Face Substrate
KOJIMA Kazutoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KURODA Satoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA Hajime
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ARAI Kazuo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Chemical Vapor Deposition
(Chemical Vapor Deposition)
巻： 12 号： 8/9 ページ： 489-494 発行年： 2006年08月
JST資料番号： W0908A ISSN： 0948-1907 CODEN： CVDEFX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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