前のページに戻る この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写(冊子体のコピー)をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID:200902218611642676   整理番号:06A0740066

C面4H-SiC基板上へのホモエピタキシャル成長

Homoepitaxial Growth on a 4H-SiC C-Face Substrate
著者 (4件):
KOJIMA Kazutoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
KURODA Satoshi
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
OKUMURA Hajime
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
ARAI Kazuo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

資料名:
Chemical Vapor Deposition  (Chemical Vapor Deposition)

巻: 12  号: 8/9  ページ: 489-494  発行年: 2006年08月 
JST資料番号: W0908A  ISSN: 0948-1907  CODEN: CVDEFX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写(コピー)して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写(コピー)は郵送またはFAXでお送りします

※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。