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文献
J-GLOBAL ID：200902218877513057
整理番号：05A0154154
45nm世代以降の多孔質体low-k相互接続におけるALD TaNバリアの集積化:リラックス電子散乱効果に対するソリューション
Integration of ALD TaN barriers in porous low-k interconnect for the 45nm node and beyond; solution to relax electron scattering effect
BESLING W F A
(Philips Semiconductors, Crolles, FRA)
,
ARNAL V
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
GUILLAUMOND J F
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
GUEDJ C
(CEA, Grenoble, FRA)
,
BROEKAART M
(Philips Semiconductors, Crolles, FRA)
,
CHAPELON L L
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
FARCY A
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
ARNAUD L
(CEA, Grenoble, FRA)
,
TORRES J
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2004 ページ： 325-328 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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