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文献
J-GLOBAL ID：200902219012243344
整理番号：05A1008463
フルイディック自己組織化を利用したAlNセラミック基板上のGaAs HEMTの直接集積
Direct integration of GaAs HEMTs on AlN ceramic substrates using fluidic self-assembly
SOGA I.
(Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN)
,
HAYASHI S.
(Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN)
,
OHNO Y.
(Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN)
,
KISHIMOTO S.
(Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN)
,
MAEZAWA K.
(Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN)
,
MIZUTANI T.
(Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 41 号： 23 ページ： 1275-1276 発行年： 2005年11月10日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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