文献
J-GLOBAL ID:200902219220020065
整理番号:03A0437157
垂直に積層したInAs/Al0.5Ga0.5As自己形成量子ドットの深準位過渡分光法
Deep level transient spectroscopy of vertically stacked InAs/Al0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots
著者 (6件):
LI S
(Zhongshan (Sun Yat-sen) Univ., Guangzhou, CHN)
,
KOIKE K
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
SASA S
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
INOUE M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
YANO M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
,
JIN Y
(Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN)
資料名:
Solid State Communications
(Solid State Communications)
巻:
126
号:
10
ページ:
563-566
発行年:
2003年06月
JST資料番号:
H0499A
ISSN:
0038-1098
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)