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文献
J-GLOBAL ID:200902219220020065   整理番号:03A0437157

垂直に積層したInAs/Al0.5Ga0.5As自己形成量子ドットの深準位過渡分光法

Deep level transient spectroscopy of vertically stacked InAs/Al0.5Ga0.5As self-assembled quantum dots
著者 (6件):
LI S
(Zhongshan (Sun Yat-sen) Univ., Guangzhou, CHN)
KOIKE K
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
SASA S
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
INOUE M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
YANO M
(Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
JIN Y
(Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Acad. Sci., Changchun, CHN)

資料名:
Solid State Communications  (Solid State Communications)

巻: 126  号: 10  ページ: 563-566  発行年: 2003年06月 
JST資料番号: H0499A  ISSN: 0038-1098  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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