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文献
J-GLOBAL ID：200902219414433514
整理番号：04A0304677
分子線エピタクシーによる二次元GaN核形成のための動的に安定なガリウム誘起3×3-SiC(0001)面
Dynamically stable gallium-induced 3×3-SiC (0001) surface for two-dimensional GaN nucleation by molecular-beam epitaxy
JEGANATHAN K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU M
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 95 号： 7 ページ： 3761-3764 発行年： 2004年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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