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文献
J-GLOBAL ID：200902219513226539
整理番号：08A0557513
次世代のローk相互配線を目的としたメチル化された窒化ホウ素薄膜の特性
Properties of Methyl Boron Nitride Film for Next Generation Low-κ Interconnection
TOKUYAMA Shinji
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
HARA Makoto
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
MAZUMDER Motaharu Kabir
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE Daisuke
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KIMURA Chiharu
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
AOKI Hidemitsu
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
SUGINO Takashi
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 4 Issue 2 ページ： 2492-2495 発行年： 2008年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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