文献
J-GLOBAL ID:200902219556083251
整理番号:06A0394757
Ge/Siナノワイヤーヘテロ構造による高性能電界効果トランジスター
Ge/Si nanowire heterostructures as high-performance field-effect transistors
著者 (6件):
XIANG Jie
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
LU Wei
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
HU Yongjie
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
WU Yue
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
YAN Hao
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
LIEBER Charles M.
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
資料名:
Nature (London)
(Nature (London))
巻:
441
号:
7092
ページ:
489-493
発行年:
2006年05月25日
JST資料番号:
D0193B
ISSN:
0028-0836
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)