文献
J-GLOBAL ID:200902219932941710
整理番号:08A0095596
直交ゲート構造をもつ200Vトレンチ充填型超接合MOSFET
200V Trench Filling Type Super Junction MOSFET with Orthogonal Gate Structure
著者 (7件):
SHIBATA Takumi
(DENSO, Corp., Aichi, JPN)
,
NODA Yoshitaka
(DENSO, Corp., Aichi, JPN)
,
YAMAUCHI Shoichi
(DENSO, Corp., Aichi, JPN)
,
NOGAMI Shoji
(SUMCO Corp., Saga, JPN)
,
YAMAOKA Tomonori
(SUMCO Corp., Saga, JPN)
,
HATTORI Yoshiyuki
(TOTOYA CENTRAL R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
,
YAMAGUCHI Hitoshi
(DENSO, Corp., Aichi, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
19th
ページ:
37-40
発行年:
2007年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)