文献
J-GLOBAL ID:200902220255200099
整理番号:08A0476823
8nmと薄いアンドープドボディの高性能SOI電界効果トランジスタ
High-Performance Undoped-Body 8-nm-Thin SOI Field-Effect Transistors
著者 (8件):
MAJUMDAR Amlan
(IBM, NY, USA)
,
REN Zhibin
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
SLEIGHT Jeffrey W.
(IBM, NY, USA)
,
DOBUZINSKY David
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
HOLT Judson R.
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
VENIGALLA Raj
(IBM Microelectronics, NY, USA)
,
KOESTER Steven J.
(IBM, NY, USA)
,
HAENSCH Wilfried
(IBM, NY, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
29
号:
5
ページ:
515-517
発行年:
2008年05月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)