文献
J-GLOBAL ID:200902220263215062
整理番号:03A0685366
カーボンナノチューブトランジスタにおけるドレイン電圧スケーリング
Drain voltage scaling in carbon nanotube transistors
著者 (4件):
RADOSAVLJEVIC M
(IBM Res. Div., New York)
,
HEINZE S
(IBM Res. Div., New York)
,
TERSOFF J
(IBM Res. Div., New York)
,
AVOURIS P
(IBM Res. Div., New York)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
83
号:
12
ページ:
2435-2437
発行年:
2003年09月22日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)