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文献
J-GLOBAL ID：200902220442452514
整理番号：06A0421098
高温において原子層堆積システムにより作製された金属-絶縁体-金属キャパシタのミクロ構造変化
Microstructural Evolution of Metal-Insulator-Metal Capacitor Prepared by Atomic-Layer-Deposition System at Elevated Temperature
LIN C. H.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
WANG C. C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
TZENG P. J.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LIANG C. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LO W. M.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LI H. Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LEE L. S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LO S. C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHOU Y. W.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
TSAI M. J.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 4B ページ： 3036-3039 発行年： 2006年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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